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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234367A
主分类号：H10N50/20
分类号：H10N50/20;H10N50/80;H10N50/85;H10N50/01
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种铁磁异质结构及其制备方法，该铁磁异质结构包括依次层叠设置的衬底层、拓扑绝缘体层、铁磁层、隧穿层和重金属层，所述拓扑绝缘体层采用分子束外延法制得。本发明提供的铁磁异质结构及其制备方法，通过引入拓扑绝缘体层作为自旋源，利用其强自旋‑轨道耦合作用和独特的表面态，实现比传统重金属自旋源更高效的SOT效应。
主权项：1.一种铁磁异质结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底层、拓扑绝缘体层、铁磁层、隧穿层和重金属层，所述拓扑绝缘体层采用分子束外延法制得。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 铁磁异质结构及其制备方法
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