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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2023-10-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118221063A
主分类号：B81C1/00
分类号：B81C1/00;B81B7/02;A61L31/04;A61L31/08;A61L31/14
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及一种聚对二甲苯刻蚀方法、聚对二甲苯神经电极及制备方法，聚对二甲苯刻蚀方法包括步骤：在聚对二甲苯层上使用光刻胶进行刻蚀区域的图案化，形成图案化的光刻胶并露出刻蚀区域以外的聚对二甲苯层表面；在图案化的光刻胶上和聚对二甲苯层的露出表面上低温淀积二氧化硅；剥离图案化的光刻胶和图案化的光刻胶上的二氧化硅，形成二氧化硅硬掩膜；使用反应离子刻蚀法，以低温生长二氧化硅硬掩膜作掩膜对刻蚀区域的聚对二甲苯层进行刻蚀，形成目标刻蚀结构；去除掉二氧化硅硬掩膜。该刻蚀方法以二氧化硅作为聚对二甲苯的硬掩膜，二氧化硅掩膜具有刻蚀选择比高和分辨率高的优点，能够应对不同厚度的聚对二甲苯，实现精细图案的刻蚀。
主权项：1.一种基于二氧化硅掩膜的聚对二甲苯刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：在聚对二甲苯层上使用光刻胶进行刻蚀区域的图案化，形成图案化的光刻胶并露出所述刻蚀区域以外的聚对二甲苯层表面；在所述图案化的光刻胶上和所述聚对二甲苯层的露出表面上淀积二氧化硅，其中，淀积温度为50～100℃；剥离所述图案化的光刻胶和所述图案化的光刻胶上的二氧化硅，形成二氧化硅硬掩膜；使用反应离子刻蚀法，以所述二氧化硅硬掩膜作掩膜对所述刻蚀区域的聚对二甲苯层进行刻蚀，形成目标刻蚀结构；去除掉所述二氧化硅硬掩膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 聚对二甲苯刻蚀方法、聚对二甲苯神经电极及制备方法
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