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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供侧墙结构及其刻蚀方法，通过在执行第一介质层的主刻蚀工艺之前，先执行关键尺寸调整工艺，以修正第一介质层的关键尺寸。相比于传统的第一介质层的过刻蚀工艺中调整侧墙材料层的关键尺寸，本发明前置关键尺寸调整工艺，能够独立控制和调整侧墙材料层中第一介质层的目标关键尺寸参数。以及在执行第一介质层的主刻蚀工艺，采用预定的第一介质层和第二介质层的刻蚀选择比，以获得垂直的第一介质层的侧壁形貌。传统的第一介质层的主刻蚀工艺中采用高刻蚀选择比，本发明采用中等强度的第一介质层和第二介质层的刻蚀选择比，以获得垂直的侧墙形貌，从而能够解决侧墙形貌不良影响半导体器件性能的问题。
主权项：1.一种侧墙结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构和覆盖所述栅极结构、所述衬底的侧墙材料层，所述侧墙材料层包括第一介质层和位于所述第一介质层底部的第二介质层；执行关键尺寸调整工艺，以修正所述第一介质层的关键尺寸；执行第一介质层的主刻蚀工艺，去除所述栅极结构顶部的所述第一介质层和所述栅极结构侧壁的部分所述第一介质层，且采用预定的第一介质层和第二介质层的刻蚀选择比以获得垂直的所述第一介质层的侧壁；执行第一介质层的过刻蚀工艺，暴露出所述栅极结构顶部的所述第二介质层，以形成第一侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 侧墙结构及其刻蚀方法
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