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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元的阵列以及耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路。所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路。所述外围电路还包括具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。
主权项：1.一种三维3D存储器装置，包括：包括NAND存储器串的阵列的第一半导体结构；包括页缓冲器的第二半导体结构，其中，所述页缓冲器包括凹陷栅极晶体管；以及位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的键合界面，其中，所述NAND存储器串的阵列横跨所述键合界面耦接至所述页缓冲器，其中，所述第二半导体结构包括一个叠一个地堆叠设置的第一器件层和第二器件层；所述第一器件层包括所述凹陷栅极晶体管；并且所述第二器件层包括平坦栅极晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法
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