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申请/专利权人：西部数据技术公司
申请日：2019-12-16
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN113168858B
主分类号：G11C11/16
分类号：G11C11/16;H10B61/00
优先权：["20190624 US 62/865,830","20190701 US 16/459,389"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开
摘要：本发明提供一种磁阻随机存取存储器MRAM存储器单元，该MRAM存储器单元包括：钉扎层，该钉扎层具有垂直于该钉扎层的平面的固定磁化方向；第一自由层，该第一自由层具有可以切换并且垂直于该第一自由层的平面的磁化方向；隧道势垒，该隧道势垒定位在该钉扎层和该第一自由层之间；第二自由层，该第二自由层具有可以切换的磁化方向；和间隔层，该间隔层定位在该第一自由层和该第二自由层之间。该第二自由层的矫顽磁力的温度依赖性大于该第一自由层的矫顽磁力的温度依赖性。
主权项：1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：钉扎层，所述钉扎层具有垂直于所述钉扎层的平面的固定磁化方向；第一自由层，所述第一自由层具有可以切换并且垂直于所述第一自由层的平面的磁化方向；隧道势垒，所述隧道势垒定位在所述钉扎层和所述第一自由层之间，所述隧道势垒被配置成响应于通过所述隧道势垒的电流而生成热量；第二自由层，所述第二自由层具有可以切换的磁化方向，所述第二自由层的矫顽磁力的温度依赖性大于所述第一自由层的矫顽磁力的温度依赖性，所述第二自由层的温度响应于所述热量而升高，所述第二自由层被配置成响应于所述第二自由层的温度超过阈值温度而转变为非磁性；和间隔层，所述间隔层定位在所述第一自由层和所述第二自由层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西部数据技术公司 热辅助垂直自旋转移矩MRAM存储器单元
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