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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：提供了用于在EUV暴露后显影基于光图案化的金属或金属氧化物的薄膜光致抗蚀剂，以去除非挥发性物质并阻止蚀刻停止的处理。用蚀刻剂和氧化剂交替处理的重复循环；或用蚀刻剂处理然后用清洗剂处理是去除光致抗蚀剂中不需要的未暴露部分的有效技术。
主权项：1.一种处理半导体衬底的方法，其包括：在处理室中的基座上的半导体衬底上提供光图案化的含金属抗蚀剂；以及通过将所述光图案化的含金属抗蚀剂暴露于包括交替输送的蚀刻剂的脉冲和氧化剂的脉冲的至少一个循环，选择性地去除所述光图案化的含金属抗蚀剂的一部分，从而使所述光图案化的含金属抗蚀剂显影，以形成抗蚀剂掩模。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 用于阻止蚀刻停止的金属氧化物基光致抗蚀剂的循环显影
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