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摘要:本发明涉及一种具有大矫顽场的PMN‑PT基压电材料及其制备方法,不同于传统PMN‑PT陶瓷中MgNb为1:2,本设计中MgNb偏离1:2的整比设计。该陶瓷材料的一般元素组成为:Pb1‑xLnx[Mg1+z3Nb2‑z3yTi1‑y]1‑x4O3,其中Ln为稀土元素,0≤x≤0.05,0.65≤y≤0.80,0z≤0.02。该材料的制备方法为:首先合成铌酸镁,再采用固相法合成PMN‑PT陶瓷,最后陶瓷在空气中烧结成瓷。与现有技术相比,本发明制备的PMN‑PT压电陶瓷,其矫顽场较传统方法制备的PMN‑PT陶瓷有大幅度的提高,因此不容易退极化,更加适合于强电场下使用。
主权项:1.一种具有大矫顽场的PMN-PT基压电材料,所述PMN-PT基压电材料的元素组成为:Pb1-xLnx[Mg1+z3Nb2-z3yTi1-y]1-x4O3,其中Ln为稀土元素,0≤x≤0.05,0.65≤y≤0.80,0z≤0.02。
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百度查询: 上海材料研究所有限公司 一种具有大矫顽场的PMN-PT基压电材料及其制备方法
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