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申请/专利权人：北京化工大学
摘要：本发明公开一种用于清除芯片周围氧化物及渗出助焊剂的方法，包括以下步骤：1.采用大气压低温等离子体射流系统对粘接芯片后的金属框架进行氧化清洗；2.采用含有乙醇的有机溶剂对金属框架进行清洗；3.采用等离子体清洗还原系统对清洗后金属框架表面的氧化层进行等离子体还原；本发明使用等离子体处理金属框架表面氧化层及溢出助焊剂，无需使用大量清水或有害化学试剂冲洗，避免了对环境和人体健康的潜在危害；处理速度快，提高了清洗效率，工艺简单；在处理过程中对芯片及键合区域无损伤，有效保护了芯片的完整性和功能性；在去除助焊剂及氧化层后，等离子体同时改变铜合金框架表面活性，提高了粘接性能和键合工艺的可靠性。
主权项：1.一种用于清除芯片周围氧化物及渗出助焊剂的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、采用大气压低温等离子体射流系统对粘接芯片后的金属框架进行清洗；具体如下：A、将粘接芯片后的金属框架放置在传送带上，向等离子体射流装置中通入一定流量的空气；B、打开激励电源，产生均匀稳定的等离子体射流，通过移动平台的快速移动带动等离子体射流对金属框架表面进行均匀处理，等离子体射流将溢出的助焊剂进行初步物理刻蚀去除，同时将有机物分解为小分子碳氧化物，通过高速气流吹扫到周围环境中；步骤二、采用有机溶剂对金属框架进行清洗；具体如下：A、将金属框架浸泡至盛放有机溶剂的清洗池中进行清洗，将部分残留的助焊剂彻底去除；B、将清洗后的金属框架放置烘干；步骤三、采用等离子体清洗还原系统对清洗后金属框架表面的氧化层进行等离子体还原；具体如下：A、将经过等离子体射流清洗后的金属框架放置到等离子体还原系统中的腔体中；B、密封等离子体还原腔体，使等离子体还原腔体中为中空；C、向等离子体腔体中充入一定比例混合的氩气与氢气，打开激励电源向等离子体还原腔体中的高压电极通电，氩气与氢气受高压电场作用发生碰撞形成氩氢等离子体，在金属框架表面将残留的助焊剂中的大分子化学键分解成小分子及挥发性物质，然后由真空泵清除出去，大量的活性氢原子与样品表面分子发生还原反应，将铜表面新生成的氧化铜还原为铜。
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权利要求：
百度查询： 北京化工大学 一种用于清除芯片周围氧化物及渗出助焊剂的方法
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