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申请/专利权人：上海江波龙数字技术有限公司
摘要：本申请提供一种QLCNAND的数据存储方法、装置、设备、介质，应用于半导体存储技术领域，包括：根据获取的三组用户数据，利用主控的独立磁盘冗余阵列等逻辑加速模块对这三组用户数据进行异或操作，生成一组临时数据；将得到的四组数据进行加扰CRCLDPC编码后，存储到QLCNAND中，三组用户数据存储在QLCNAND的四种页面类型中的任意三种页面类型中，临时数据存储在QLCNAND的四种页面类型剩下的一种页面类型中。根据三组用户数据生成一组临时数据，然后四组数据经过加扰CRCLDPC编码后存储到NANDFlash中，生成高可靠性的拟三层单元Pseudo‑TLC存储模式，在数据读取的时候对默认读阈值电压加上合适的偏移值，可以满足产品的可靠性指标的同时不影响产品的性能指标。
主权项：1.一种QLCNAND的数据存储方法，其特征在于，包括：根据获取的三组用户数据，生成一组临时数据，得到四组数据；对所述四组数据进行扰码处理后，存储到所述QLCNAND中，所述三组用户数据分别存储在所述QLCNAND的四种页面类型中的任意三种页面类型中，所述临时数据存储在所述QLCNAND的四种页面类型中剩下的一种页面类型中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海江波龙数字技术有限公司 QLC NAND的数据存储方法、装置、设备、介质
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