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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：一种设备可包含包括多个串联连接的存储器单元串的存储器单元阵列、数据线、位于所述数据线与第一串联连接的存储器单元串之间的第一场效应晶体管，以及位于所述数据线与第二串联连接的存储器单元串之间的第二场效应晶体管，其中所述第一场效应晶体管的控制栅极连接到所述第二场效应晶体管的控制栅极，并且其中所述第一场效应晶体管的沟道经制造为具有第一阈值电压且所述第二场效应晶体管的沟道经制造为具有不同于所述第一阈值电压的第二阈值电压。
主权项：1.一种设备，其包括：存储器单元阵列，其包括多个串联连接的存储器单元串；数据线；第一场效应晶体管，其位于所述数据线与所述多个串联连接的存储器单元串中的第一串联连接的存储器单元串之间；以及第二场效应晶体管，其位于所述数据线与所述多个串联连接的存储器单元串中的第二串联连接的存储器单元串之间；其中所述第一场效应晶体管的控制栅极连接到所述第二场效应晶体管的控制栅极；并且其中所述第一场效应晶体管的沟道经制造为具有第一浓度的杂质，并且所述第二场效应晶体管的沟道经制造为具有不同于所述第一浓度的第二浓度的所述杂质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有多个子块的存储器阵列结构、含有此类存储器阵列结构的设备及此类设备的操作
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