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申请/专利权人：上海南芯半导体科技股份有限公司
摘要：本发明属于模拟电路技术领域，具体的说是涉及一种新型的POR电路。本发明用于解决一般的basedBG的POR的大面积的情况，通过使用单一BJT以及PTATbasedcomparator可以达到用较小的面积达到POR功能的结果，同时使用高端BJT，NBL可以很好的保护BJT的电流，不然使用低端BJT，NBL的吸收少子的能力会导致电阻串的电流有影响。
主权项：1.一种新型的POR电路，其特征在于，包括BJT管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流源、第一MOS管、第二MOS管和比较器；其中，BJT管的基极和集电极接电源，其发射极依次通过第二电阻和第一电阻后接地；第一MOS管的栅极接第二电阻和第一电阻的连接点，第一MOS管的源极接电流源的输出端，第一MOS管的漏极通过第三电阻后接地；电流源的输入端接电源；第二MOS管的源极接电流源的输出端，其栅极接地，其漏极通过第四电阻后接地；比较器的负输入端接第一MOS管和第三电阻的连接点，比较器的正输入端接第二MOS管和第四电阻的连接点，比较器的输出端输出POR信号；所述第一MOS管和第二MOS管用于提供内嵌式PTAT电压，定义第二MOS管的宽长比是WL，第一MOS管的宽长比是m*WL，m为比例系数，第一MOS管和第二MOS管设置在亚阈值区，可得第一MOS管的栅源电压Vgs1和第二MOS管的栅源电压Vgs2的差值为： 其中，Vth为阈值电压，η为非理想因子常数，VT为热电压，Id2为第二MOS管的漏电流，Id1为第一MOS管的漏电流，Kd2I0为Vgs2为0时M2的漏电流，Kd1I0为Vgs1为0时M1的漏电流；I0＝μCoxη-1VT2其中，μ为沟道迁移率，Cox为MOS管单位面积的栅氧化层电容；定义POR电流为基于bandgap的POR电路，则当输入电压等于Vtrig时，第一电阻上的压降等于Vgs1-Vgs2时，比较器翻转输出为高，得到POR信号，所述Vtrig为： 其中，R1为第一电阻阻值，R2为第二电阻的阻值，Vbe为BJT的base-emitter电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海南芯半导体科技股份有限公司 一种新型的POR电路
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