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申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司
摘要:本申请提供一种N离子注入监测方法,应用于离子注入监测技术领域,其中包括S1、提供一晶圆,并将晶圆置于待检测机台上,预设N离子注入剂量值,对待监控机台上晶圆进行N离子注入;S2、对晶圆进行退火处理,使用刻蚀液对晶圆表面的绝缘层进行腐蚀;S3、使用测试仪器量测晶圆电阻,以获得对应的电阻值,获得晶圆电阻与N离子注入剂量之间的关系。通过预设N离子注入剂量值,对待监控机台上晶圆进行N离子注入,然后对晶圆进行退火处理,对晶圆表面的绝缘层进行腐蚀;使用测试仪器量测晶圆电阻,获得晶圆电阻与N离子注入剂量之间的关系,可有效适用于现有硅衬底晶圆N注入的激活温度,并对N离子注入的计量及时反馈,时效性高。
主权项:1.一种N离子注入监测方法,其特征在于:包括S1、提供一晶圆,并将晶圆置于待检测机台上,预设N离子注入剂量值,对待监控机台上晶圆进行N离子注入,形成反型层;S2、对晶圆进行退火处理,使用刻蚀液对晶圆表面的绝缘层进行腐蚀;S3、使用测试仪器量测晶圆电阻,以获得所述同一注入条件下对应的电阻值,获得晶圆电阻与N离子注入剂量之间的关系。
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权利要求:
百度查询: 上海积塔半导体有限公司 一种N离子注入监测方法
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