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申请/专利权人：无锡晟轶科技有限公司
摘要：本公开涉及一种PTAT电流源、芯片及电子设备，所述PTAT电流源包括：放大器的第一输入端连接于第一电流产生晶体管的栅极、漏极及启动电路的输出端、电流镜的第一端，启动电路用于输出启动电流启动工作，放大器的第二输入端连接于第二电流产生晶体管的栅极、漏极及电流镜的第二端，第二电流产生晶体管的源极接地，电流镜的一端通过节点电容接地，电流镜还连接于放大器的输出端，用于镜像输出流过电阻的PTAT电流，其中，第一电流产生晶体管、第二电流产生晶体管均为深N阱晶体管。本公开实施例可以消除第一电流产生晶体管、第二电流产生晶体管的阈值电压的失配，消除了PTAT电流源内部温度源的影响，提高了PTAT电流源的精度。
主权项：1.一种PTAT电流源，其特征在于，所述PTAT电流源包括启动电路、电流产生电路、放大器、电流镜及节点电容，所述电流产生电路包括第一电流产生晶体管、第二电流产生晶体管及电阻，其中，所述放大器的第一输入端连接于第一电流产生晶体管的栅极、漏极及所述启动电路的输出端、所述电流镜的第一端，所述第一电流产生晶体管的源极接地，所述启动电路的输出端用于输出启动电流启动所述PTAT电流源的工作，所述放大器的第二输入端连接于所述第二电流产生晶体管的栅极、漏极及所述电流镜的第二端，所述第二电流产生晶体管的源极通过所述电阻接地，所述电流镜的一端通过所述节点电容接地，所述电流镜的一端还连接于所述放大器的输出端，用于镜像输出流过所述电阻的PTAT电流，其中，所述第一电流产生晶体管、所述第二电流产生晶体管均为深N阱晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡晟轶科技有限公司 PTAT电流源、芯片及电子设备
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