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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日：2019-08-29
公开（公告）日：2024-03-26
公开（公告）号：CN112242393B
专利技术分类：.....有绝缘栅场效应晶体管的组件[2006.01]
专利摘要：本发明公开一种电路架构，其包括第一栅极结构、第一多连通通道层以及第二晶体管。第一栅极结构具有第一延伸方向，且第一栅极结构具有相对的第一端与第二端。第一多连通通道层完全环绕第一栅极结构，且第一多连通通道层的平面方向垂直于第一栅极结构的第一延伸方向。第一栅极结构以及第一多连通通道层构成第一晶体管。第二晶体管设置在第一多连通通道层中，第二晶体管的第二栅极结构或通道与第一多连通通道层相互电连接。
专利权项：1.一种电路架构，其特征在于，该电路架构包括：第一栅极结构，所述第一栅极结构具有第一延伸方向，且所述第一栅极结构具有相对的第一端与第二端；第一多连通通道层，在俯视图中完全环绕所述第一栅极结构，且所述第一多连通通道层所在的平面垂直于所述第一栅极结构的所述第一延伸方向，其中所述第一栅极结构以及所述第一多连通通道层构成第一晶体管；以及第二晶体管，穿过所述第一多连通通道层，所述第二晶体管的通道形成于所述第一多连通通道层中，其中所述第二晶体管包括：第二栅极结构，所述第二栅极结构具有与所述第一栅极结构相同的所述第一延伸方向，且所述第二栅极结构具有相对的第一端与第二端，其中所述第二栅极结构设置在所述第一多连通通道层中，并在俯视图中环绕一封闭区域；以及隔离通道层，设置在所述封闭区域中，其中所述隔离通道层与多连通通道层的导电型态相同或相反。
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 电路架构
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