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申请/专利权人：深圳市天成照明有限公司

摘要：本申请涉及LED的领域，尤其是本申请涉及一种CHIPLED封装结构及加工工艺，其包括依次层叠设置的第一金属层、呈矩形的绝缘层以及第二金属层，所述第一金属层包括多个设置于绝缘层一侧上的第一金属焊盘，第二金属层包括多个设置于所述绝缘层远离第一金属焊盘一侧上的第二金属焊盘，第一金属焊盘的位置与所述第二金属焊盘在所述绝缘层上一一对应；所述绝缘层四个角上贯穿设置有通孔，且所述通孔贯穿所述第一金属焊盘与第一金属焊盘对应的所述第二金属焊盘，所述通孔内设置有第一导电铜，且所述第一导电铜一端与所述第一金属焊盘抵接，所述第一导电铜另一端与所述第二金属焊盘抵接。本申请具有提高灯珠的可靠性的效果。

主权项：1.一种CHIPLED封装结构的加工工艺，其特征在于，所述CHIPLED封装结构包括：依次层叠设置的第一金属层、呈矩形的绝缘层1以及第二金属层，所述第一金属层包括多个设置于所述绝缘层1一侧上的第一金属焊盘2，所述第二金属层包括多个设置于所述绝缘层1远离第一金属焊盘2一侧上的第二金属焊盘3，所述第一金属焊盘2的位置与所述第二金属焊盘3在所述绝缘层1上一一对应；所述绝缘层1四个角上贯穿设置有通孔4，且所述通孔4贯穿所述第一金属焊盘2与第一金属焊盘2对应的所述第二金属焊盘3，所述通孔4内设置有第一导电铜5，且所述第一导电铜5一端与所述第一金属焊盘2抵接，所述第一导电铜5另一端与所述第二金属焊盘3抵接；所述绝缘层1沿长度方向一侧侧面贯穿设置有扇形孔6，且所述扇形孔6的开设方向垂直于所述第一金属焊盘2所在平面，所述扇形孔6贯穿第一金属焊盘2与第一金属焊盘2对应的第二金属焊盘3，所述扇形孔6内设置有第二导电铜7，且所述第二导电铜7一端与所述第一金属焊盘2抵接，所述第二导电铜7另一端与所述第二金属焊盘3抵接，所述第二导电铜7外露于所述绝缘层1侧面；所述绝缘层1远离所述第一金属焊盘2一侧并排设置有扇形槽8，且两个所述扇形槽8位于所述扇形孔6两侧，所述扇形槽8内设置有第三导电铜9，且两个所述第三导电铜9分别与对应的第二金属焊盘3抵接，所述第三导电铜9外露于所述绝缘层1侧面；所述扇形孔6贯穿的第一金属焊盘2设置为芯片金属焊盘10，所述芯片金属焊盘10设置有驱动芯片11，其中一所述第一金属焊盘2设置为安装金属焊盘12，所述安装金属焊盘12设置有多个发光芯片13；所述CHIPLED封装结构加工工艺包括：S1,将材料版并排划分为灯区，每个灯区设置为绝缘层1；S2,先在每个所述绝缘层1两侧分别封装有第一金属层和第二金属层，其中，第一金属层包括多个第一金属焊盘2，第二金属层包括多个第二金属焊盘3；S3,在所述绝缘层1四个角的位置处打出通孔4，并且通孔4贯穿绝缘层1四个角的位置处的第一金属焊盘2以及第二金属焊盘3，其中，相邻的绝缘层1之间的通孔4相互导通；S4,在所述绝缘层1沿长度方向一侧侧面处贯穿打出扇形孔6，在所述绝缘层1沿长度方向一侧侧面处打出扇形槽8，扇形槽8打两个且位于扇形孔6两侧；S5,在全部所述通孔4、扇形孔6以及扇形槽8内填充实心铜，其中，通孔4内为第一导电铜5，扇形孔6内为第二导电铜7，扇形槽8内为第三导电铜9；S6,将材料版按照每个灯区的位置进行切割形成单独灯珠支架；S7,在每个灯珠支架上封装封装胶；其中，在S5步骤后，还进行如下步骤：将第一导电铜5、第二导电铜7、第三导电铜9凸出所述绝缘层1部分进行打磨；在将材料版进行切割过程中，进行如下步骤：在切割扇形孔6时，将扇形孔6五分之四的区域留于所述芯片金属焊盘10上。

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