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申请/专利权人：IMEC 非营利协会
摘要：公开了一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，其中形成纳米片场效应晶体管FET结构和鳍FET结构。该方法包括从垂直堆叠来形成第一鳍结构110和第二鳍结构120，其中第二鳍结构被布置在第一鳍结构上方，并且其中该垂直堆叠包括布置在第一和第二鳍结构之间的中间层115。该方法还包括从上方形成跨第二鳍结构的沟道区的栅极结构122，从下方形成跨第一鳍结构的沟道区的栅极结构112，以及形成第一和第二鳍的源极区和漏极区114，124。
主权项：1.一种用于在基板100上形成包括纳米片场效应晶体管FET结构和鳍FET结构的堆叠式晶体管器件的方法，包括：从布置在所述基板上的垂直堆叠来形成第一鳍结构110和第二鳍结构120，其中所述第一鳍结构被布置在所述基板上，并且所述第二鳍结构被布置在所述第一鳍结构上方，并且其中所述垂直堆叠包括布置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的中间层115；从上方形成跨所述第二鳍结构的沟道区的栅极结构122；从下方形成跨所述第一鳍结构的沟道区的栅极结构112；以及形成所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的源极区和漏极区114，124；其中所述第一鳍结构和所述第二鳍结构中的第一者包括沟道纳米片126的堆叠，从而形成所述纳米片FET结构；以及其中所述第一鳍结构和所述第二鳍结构中的另一者包括沟道鳍116，从而形成所述鳍FET结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC 非营利协会 用于形成堆叠式晶体管器件的方法
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