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申请/专利权人:豪威科技股份有限公司
摘要:用于改进四元光电二极管QPD通道不平衡的半QPD。在一个实施例中,一种图像传感器包含布置成安置在半导体材料中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个子像素。每一子像素包括多个第一光电二极管、多个第二光电二极管及多个第三光电二极管。所述多个像素经配置以通过所述半导体材料的被照明表面接收入射光。多个小微透镜个别地分布在每一子像素的个别第一光电二极管及个别第二光电二极管上方。多个大微透镜各自分布在每一子像素的多个第三光电二极管上方。所述小微透镜的直径小于所述大微透镜的直径。
主权项:1.一种图像传感器,其包括:多个像素,其布置成安置在半导体材料中的像素阵列的行及列,其中每一像素包括多个子像素,且每一子像素包括多个第一光电二极管、多个第二光电二极管及多个第三光电二极管,其中所述多个像素经配置以通过所述半导体材料的被照明表面接收入射光,多个小微透镜,其个别地分布在每一子像素的个别第一光电二极管及个别第二光电二极管上方;及多个大微透镜,其各自分布在每一子像素的多个第三光电二极管上方;其中所述小微透镜的直径小于所述大微透镜的直径。
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百度查询: 豪威科技股份有限公司 用于改进四元光电二极管(QPD)通道不平衡的半QPD
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