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申请/专利权人：安徽医科大学第一附属医院
摘要：本发明提出的双周期金纳米孔洞阵列作为Si表面电极的制备方法。其步骤如下：1通过匀胶提拉法在Sip‑n结的n型表面密排直径约为600nm的聚苯乙烯PS小球，2反应离子刻蚀使小球直径缩小14，3第二次密排直径约240nm的PS小球，形成双周期模板，4蒸镀法在双周期模板表面蒸镀一层40nm厚的金膜或银膜，5超声去除小球模板，形成双周期AuAg纳米孔洞阵列。孔洞阵列产生的等离激元效应以及双周期之间的耦合效应增强了光吸收，拓宽了吸收光谱，提高了光电转换效率；作为表面电极降低了光生载流子与电极之间的输运距离比商用梳状电极输运距离减少104倍，削弱了光生载流子在传输过程中的复合效应。
主权项：1.双周期金纳米孔洞阵列作为表面电极的新型Si电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1制备两种不同直径的PS小球将过硫酸钾溶于去离子水中，在温控磁力搅拌器中搅拌，设置温度在50～90℃。向溶液中加入甲醇和苯乙烯，搅拌12-24h，得到含有杂质的PS小球悬浊液。设置不同的离心转速，获得不同直径的小球，然后将洗涤后的PS小球分散在乙醇溶液中；2第一次密排小球通过匀胶提拉法在Sip-n结的n型表面第一次密排形成单周期的PS小球模板，第一次密排大直径的小球；3第一次退火使密排小球相对固定、不易脱落；4刻蚀小球通过反应离子刻蚀使小球直径缩小14左右，使其形成一定的间隙；5第二次密排小球再次经匀胶提拉法在刻蚀后模板的间隙处填充小直径的PS小球，形成双周期模板；6第二次退火使密排小球相对固定、不易脱落；7蒸镀金属膜通过蒸镀法在双周期模板表面蒸镀一层20-40nm厚的AuAg膜；8去除小球模板经超声去除小球模板，即形成双周期AuAg纳米孔洞阵列；9第三次退火形成双周期等离激元孔洞阵列电极在惰性气体气氛下做快速热退火，使AuAg孔洞阵列与石墨烯和n-Si密切接触，形成双周期等离激元孔洞阵列电极。
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权利要求：
百度查询： 安徽医科大学第一附属医院 双周期金纳米孔洞阵列作为Si电池表面电极的制备方法
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