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申请/专利权人:株洲中车时代电气股份有限公司
摘要:本发明公开了一种用于NandFlash的数据存储方法,包括:获取当前需要写入的数据所对应的写数据页码,其中,写数据页码为前一次写周期结束前所记录的页码数加一;从预设的页状态表中读取并识别当前页码的状态;如果该页为好页,将待写入数据写入当前页内,并进行数据读取校验,在校验错误时,将页状态表中的当前页标记为坏页,并生成新的当前页页码,以从页状态表中进行状态识别,在校验正确时,记录当前写周期的写数据页码,以进入下一个写周期。本发明提升了器件空间利用率和使用寿命,保证每个周期数据正确写入,且确保存储数据的连续性。
主权项:1.一种用于NandFlash的数据存储方法,其特征在于,包括:步骤一、获取当前需要写入的数据所对应的写数据页码,其中,所述写数据页码为前一次写周期结束前所记录的页码数加一;步骤二、从预设的页状态表中读取并识别当前页码的状态;步骤三、如果该页为好页,将待写入数据写入当前页内,并进行数据读取校验,在校验错误时,将所述页状态表中的当前页标记为坏页,而后判断是否满足自动跳过坏页条件,若满足,则生成跳过坏页后的页码,并将其作为新的当前页页码,从而返回所述步骤二,在校验正确时,记录当前写周期的所述写数据页码,以进入下一个写周期,其中,在判断是否满足自动跳过坏页条件时,若本次写周期内第一次标记坏页,则满足自动跳过坏页条件,将当前页码加一后生成新页码,从而返回所述步骤二,若本次写周期内第二次标记坏页,则生成表示当前周期写操作失败的故障提示,从而结束当前写周期;步骤四、如果当前页为坏页,则获取所述页状态表中下一个邻近好页作为当前页写周期的所述写数据页码,从而执行所述步骤三。
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百度查询: 株洲中车时代电气股份有限公司 一种用于NandFlash的数据存储方法与系统
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