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波控制介质、波控制元件、波控制构件、波控制装置和波控制介质的制造方法专利

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申请/专利权人:索尼集团公司

申请日:2021-10-13

公开(公告)日:2023-07-28

公开(公告)号:CN116508209A

专利技术分类:.反射面;等效结构[2006.01]

专利摘要:提供一种能够吸收并控制波动并同时实现超材料等的小型化以及更宽带宽的波控制介质。波控制介质5包括三维微结构,该三维微结构具有:基部2、螺旋部件3、和设置在基部2和螺旋部件3之间的匹配元件6,其中该三维微结构包括从金属、电介质、磁体、半导体、超导体中的任意一种材料、或者上述材料的多个组合中选择的材料。波控制介质5通过在基部2和螺旋部件3之间布置匹配元件6来缓和阻抗值的变化,从而能够吸收波动。

专利权项:1.一种波控制介质,包括三维微结构,所述三维结构具有基部、螺旋部件、和设置于所述基部和所述螺旋部件之间的匹配结构,其中所述三维微结构由从金属、电介质、磁体、半导体、超导体中的任意一种材料、或者多种上述材料的组合中选择的材料形成。

百度查询: 索尼集团公司 波控制介质、波控制元件、波控制构件、波控制装置和波控制介质的制造方法

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