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SmFeN永磁体及其制备方法、电机 

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申请/专利权人:华为技术有限公司;浙江工业大学

摘要:本申请提供一种SmFeN永磁体,包括多个SmFeN晶粒和位于所述多个SmFeN晶粒之间的晶界相。所述晶界相包括X与SmFeN反应的产物,其中,所述X为熔点低于800℃的金属单质或合金;所述晶界相在所述SmFeN永磁体的至少一外表面的含量大于所述晶界相在所述SmFeN永磁体的中心的含量。本申请还提供该SmFeN永磁体的制备方法和应用该SmFeN永磁体的电机。晶界相除了能够消除SmFeN磁粉加工过程中形成的表面缺陷外,还会在SmFeN晶粒间形成去磁耦合作用的无磁晶界层,从而实现SmFeN磁体的矫顽力的提升。

主权项:1.一种SmFeN永磁体,其特征在于,包括:多个SmFeN晶粒;位于所述多个SmFeN晶粒之间的晶界相,所述晶界相包括X与SmFeN反应的产物,其中,所述X为熔点低于800℃的金属单质或合金;所述晶界相在所述SmFeN永磁体的至少一外表面的含量大于所述晶界相在所述SmFeN永磁体的中心的含量,所述晶界相在所述SmFeN永磁体中的含量从所述SmFeN永磁体的至少一外表面朝所述SmFeN永磁体的中心变少。

全文数据:

权利要求:

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