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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种用于透明电极的铜纳米线CuNWs‑MXene复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：制备铜纳米线；将适量氟化锂与盐酸进行混合，随后加入Ti3AlC2进行选择性刻蚀，将获得的反应液体进行多次离心，获得MXene纳米片；将制备的铜纳米线喷涂在衬底上，并将具有铜纳米线的衬底浸入MXene纳米片溶液中，形成铜纳米线‑MXene透明电极。本发明利用了铜纳米线的高电导率和MXene材料的亲水性和较强的抗氧化性，实现了铜纳米线和衬底的稳定结合，提高了导电薄膜与衬底结合的牢固性，同时MXene纳米片覆盖在铜纳米线网格的线和线之间为电子传输提供了桥梁进而降低了接触电阻。MXene在纳米线的表面附着极大地避免了铜纳米线和空气的接触，提高了透明电极的性能稳定性。
主权项：1.一种用于透明电极的CuNWs-MXene复合材料的制备方法，其特征在于，包括：S1：制备铜纳米线；S2：将适量氟化锂与盐酸进行混合，随后加入Ti3AlC2进行选择性刻蚀，将获得的反应液体进行多次离心，获得MXene纳米片；S3：将制备的铜纳米线喷涂在衬底上，并将具有铜纳米线的衬底浸入MXene纳米片溶液中，形成铜纳米线-MXene透明电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种用于透明电极的Cu NWs-MXene复合材料及其制备方法
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