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申请/专利权人：哈尔滨工程大学

摘要：本发明提供了一种基于倏逝场的光纤忆阻单元。该基于倏逝场的光纤忆阻单元，包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化薄膜。其中，光学相变材料薄膜位于单模光纤侧面凹槽，在光学相变材料薄膜上方镀有防氧化薄膜。在该光纤忆阻单元中，纤芯中注入脉冲光通过倏逝场耦合至光纤相变材料薄膜上，实现其相态的调控，使得光纤忆阻单元的透射率发生变化，完成非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以作为一种光脉冲调控的光纤存储器件，其存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等，能良好的与当前光纤系统兼容，具备极大的应用潜力。

主权项：1.一种基于倏逝场的光纤忆阻单元，包括单模光纤（1）、光学相变材料薄膜（2）、防氧化薄膜（3）以及侧面凹槽（4）；所述单模光纤（1）的侧面凹槽（4）镀有光学相变材料薄膜（2），光学相变材料薄膜（2）上方镀有防氧化薄膜（3）；所述的光学相变材料薄膜（2），其材质为硫系化合物，其中，具体为锗锑碲合金（Ge2Sb2Te5）或银铟锑碲合金（AgInSbTe）；所述的光学相变材料薄膜（2）至少存在两种相态，晶态与非晶态，两种相态的在通讯波段的吸收率存在差异，晶态吸收率高、非晶态吸收率低；所述的光学相变材料薄膜（2）通过射频磁控溅射的方式与单模光纤（1）中侧面凹槽（4）底部结合，其厚度为10nm；所述的防氧化薄膜（3）的材质为氧化铟锡（ITO）；所述的防氧化薄膜（3）防止光学相变材料薄膜（2）暴露在空气中被氧化；所述的防氧化薄膜（3）通过射频磁控溅射的方式与光学相变材料薄膜（2）结合，其厚度为10nm；所述侧面凹槽（4）由单模光纤（1）通过飞秒激光加工，形成凹槽结构，凹槽的底部距离纤芯2~5μm，凹槽轴向长度为10μm、横向长度为5μm；所述的基于倏逝场的光纤忆阻单元由峰值功率较大的通讯波段的脉冲激光进行“擦写”操作，脉冲激光通过倏逝场与光学相变材料薄膜（2）耦合作用，调控光学相变材料薄膜（2）的相态，从晶态到非晶态任意切换；所述的基于倏逝场的光纤忆阻单元，由功率较弱的通讯波段的连续激光对光纤忆阻单元的透射率进行“读取”，光学相变材料薄膜（2）处于晶态时，吸收率高，光纤忆阻单元出射的连续激光处于低态；光学相变材料薄膜（2）处于非晶态时，吸收率低，光纤忆阻单元出射的连续激光处于高态；光学相变材料薄膜（2）处于晶态与非晶态之间时，光纤忆阻单元出射的连续激光处于中间态，以此表征存储的级次。

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