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申请/专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
摘要：本发明涉及一种用于有机电子器件中的式I的化合物、一种包含式IV的化合物和至少一种式IVa至IVd的化合物的组合物、一种包含所述化合物或组合物的有机半导体层、一种包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及一种包括所述有机电子器件的显示器件。
主权项：1.一种式I的化合物， 其中A1选自式II X1选自CR1或N；X2选自CR2或N；X3选自CR3或N；X4选自CR4或N；X5选自CR5或N；R1和R5如果存在独立地选自CN、CF3、卤素、Cl、F、H或D；R2、R3和R4如果存在独立地选自CN、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、Cl、F、H或D；其中当R1、R2、R3、R4和R5中的任一个存在时，那么相应X1、X2、X3、X4和X5不是N；前提是–R1和R5中的至少一个存在并独立地选自CN或CF3；A2选自式III 其中Ar独立地选自被取代的C6至C18芳基和被取代的C2至C18杂芳基，其中Ar上的取代基独立地选自CN、部分或全氟化的C1至C6烷基、卤素、Cl、F、D；R'选自Ar、被取代或未被取代的C6至C18芳基或C3至C18杂芳基、部分氟化或全氟化的C1至C8烷基、卤素、F或CN；其中星号“*”表示结合位置；其中每个Ar被至少两个CN基团取代；A3选自式II或式III；并且A1和A2被不同地选择。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 诺瓦尔德股份有限公司 用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含所述化合物或组合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件、以及包括所述有机电子器件的显示器件
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