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申请/专利权人:西安电子科技大学
摘要:本发明公开了一种阶梯组分YAlNAlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管,主要解决现有深紫外发光二极管p型掺杂的Mg离化率小,导致发光效率低的问题。其自下而上包括衬底1、成核层2、缓冲层3、n型层4、多量子阱层5、电子阻挡层6、p型层7和欧姆接触层8,其中p型层7采用三阶阶梯组分YAlNAlGaN的超晶格,每一阶超晶格的周期数相同,YAlN的厚度相同,Al组分不变,AlGaN的厚度相同,Al组分递减。本发明能增强极化电场,有效提高Mg掺杂的离化率,提升载流子浓度和器件的发光功率及效率,可用于实现高性能的深紫外发光二极管及深紫外发光设备。
主权项:1.一种阶梯组分YAlNAlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管,其自下而上包括:衬底1、成核层2、缓冲层3、n型层4、多量子阱层5、电子阻挡层6、p型层7、欧姆接触层8,其特征在于:所述p型层7采用三阶阶梯组分YAlNAlGaN超晶格,每阶参数如下:第一阶超晶格周期数为7-10,每个周期的YAlN材料的Al组分范围为0.6-0.8,厚度为3nm-7nm,每个周期的AlGaN材料的Al组分范围为0.5-0.8,厚度为1nm-4nm;第二阶超晶格周期数为7-10,每个周期的YAlN材料的Al组分范围为0.6-0.8,厚度为3nm-7nm,每个周期的AlGaN材料的Al组分范围为0.3-0.5,厚度为1nm-4nm;第三阶超晶格周期数为7-10,每个周期的YAlN材料的Al组分范围为0.6-0.8,厚度为3nm-7nm,每个周期的AlGaN材料的Al组分范围为0.1-0.3,厚度为1nm-4nm;所述三阶中AlGaN材料的Al组分递减,形成阶梯组分的YAlNAlGaN超晶格p型层,以有效提升器件发光效率。
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百度查询: 西安电子科技大学 阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管及制备方法
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