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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种ZrNiSn基Half‑Heusler热电材料及其制备方法。本发明提供的制备方法包括以下步骤：按化学式称量配比物料，混合后置于磁悬浮熔炼炉中熔炼，氩气压力氛围为104～105Pa，1600～1800℃范围内保温1～5min，粗磨成粒径0.1～1mm的粉体，氩气氛围下湿法球磨，球磨介质为无水乙醇，球料比为10:1～20:1，转速为200～600rmin，球磨5～20h，自然干燥，采用放电等离子体烧结对粉体烧结，温度为900～1000℃，压力为80～100MPa，保温时间为5～20min。本发明提供的制备方法步骤简单，得到的热电材料硬度高。
主权项：1.一种ZrNiSn基Half-Heusler热电材料，其特征在于，化学式为Zr0.96Ta0.04NiSn；所述ZrNiSn基Half-Heusler热电材料的制备方法包括以下步骤：1在手套箱中按照Zr0.96Ta0.04NiSn称取物料并混合，得到混合物料；2将所述混合物料置于磁悬浮熔炼炉中熔炼，在氩气压力保护氛围下，压力为104～105Pa，升温至1600～1800℃后保温1～5min，得到铸锭；3将所述铸锭用研钵粗磨成粒径0.1～1mm的粉体，然后在氩气保护氛围下进行湿法球磨，球磨介质为无水乙醇，球料比为10:1～20:1，转速为200～600rmin，球磨时间为5～20h，得到粒径为0.5～2μm的湿粉；4将所述湿粉自然干燥得到粉体；5采用放电等离子体烧结技术对所述粉体进行烧结，烧结温度为900～1000℃，烧结压力为80～100MPa，保温时间为5～20min，得到Zr0.96Ta0.04NiSn。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种ZrNiSn基Half-Heusler热电材料及其制备方法
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