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申请/专利权人：西南交通大学
摘要：本发明公开了一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路FR1；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；本发明解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。
主权项：1.一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；所述脉冲形成线L1和脉冲形成线L2均包括：A端、B端和接地端；所述脉冲形成线L1和脉冲形成线L2的接地端均接地；所述充电电源V1的正极与充电开关S2的一端连接，其负极接地；所述充电开关S2的另一端分别与脉冲形成线L1的B端和等效负载R1的一端连接；所述半导体开关S1的一端接地，其另一端与脉冲形成线L1的A端连接；所述脉冲形成线L2的A端与等效负载R1的另一端连接，其B端开路；所述脉冲吸收电路接入Blumlein脉冲形成线；脉冲吸收电路包括：脉冲吸收电路FR1；所述脉冲吸收电路FR1包括电阻R和二极管D，其外围接口包括：C端和D端；所述电阻R的一端作为C端，其另一端与二极管D的负极连接，所述二极管D的正极作为D端；脉冲吸收电路FR1的D端接地，其C端与脉冲形成线L2的B端连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南交通大学 一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线
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