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申请/专利权人：齐鲁工业大学
摘要：本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系，采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯，形成聚苯乙烯，高温热解形成碳源，合成工艺简单、绿色，苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏，有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性，降低了材料成本，有望实现商业化大规模生产。
主权项：1.Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将硅粉超声分散于去离子水溶液中，得到被水化膜包裹的硅粉；（2）以Tween80、Span85和苯乙烯单体作为油相，称取硅烷偶联剂和光敏剂依次放入油相中，超声处理得到油相溶液；（3）将被水化膜包裹的硅粉与油相溶液混合并乳化搅拌，再进行紫外线照射，然后真空冷冻干燥，再送入Ar气环境中碳化，最后经水热处理得到灰黑色产物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 齐鲁工业大学 Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用
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