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申请/专利权人：TCL华星光电技术有限公司
申请日：2020-05-22
公开（公告）日：2020-07-31
公开（公告）号：CN111471967A
专利技术分类：..真空蒸发[2006.01]
专利摘要：本发明适用于蒸镀工艺技术领域，提供了一种蒸镀坩埚和蒸镀设备、以及使用该蒸镀设备的蒸镀方法。其中，所述蒸镀坩埚用于基板沉积，包括坩埚本体、缓冲室和导流支管，所述缓冲室设于所述坩埚本体上方，并与其连通；所述导流支管设于所述缓冲室上方并与所述缓冲室连通。上述蒸镀坩埚能够有效提高材料的利用率。
专利权项：1.一种蒸镀坩埚，用于基板沉积蒸镀材料，包括坩埚本体，其特征在于，还包括缓冲室和导流支管；所述缓冲室设于所述坩埚本体上方，并与其连通；所述导流支管设于所述缓冲室上方并与所述缓冲室连通。
百度查询： TCL华星光电技术有限公司 蒸镀坩埚、蒸镀设备以及蒸镀方法
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