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申请/专利权人：富士电机株式会社
申请日：2019-01-23
公开（公告）日：2019-10-11
公开（公告）号：CN110323273A
专利技术分类：.....受场效应控制的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种能够适当地检测温度的半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置。所述半导体装置具备设置有晶体管部和二极管部的半导体基板，所述半导体装置具备：温度检测部，其设置于半导体基板的上表面的上方，且在预先确定的长边方向具有长边；上表面电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；以及一个以上的外部布线，其包括与上表面电极连接的连接部分，将上表面电极与半导体装置的外部电路电连接，温度检测部以在长边方向上遍及一个以上的晶体管部以及一个以上的二极管部的方式配置，在俯视时，至少一个外部布线的连接部分配置于温度检测部的周围。
专利权项：1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备半导体基板，且具备：晶体管部，其设置于所述半导体基板；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在与所述半导体基板的上表面平行的排列方向上与所述晶体管部交替地配置；温度检测部，其设置于所述半导体基板的上表面的上方，且在预先确定的长边方向具有长边；上表面电极，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；以及一个以上的外部布线，其包括与所述上表面电极连接的连接部分，该一个以上的外部布线将所述上表面电极与所述半导体装置的外部电路电连接，所述温度检测部以在所述长边方向上遍及一个以上的所述晶体管部以及一个以上的所述二极管部的方式配置，在俯视时，至少一个所述外部布线的所述连接部分配置于所述温度检测部的周围。
百度查询： 富士电机株式会社 半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置
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