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申请/专利权人：精工爱普生株式会社
申请日：2003-10-23
公开（公告）日：2007-08-01
公开（公告）号：CN1329927C
专利技术分类：..陶瓷[2006.01]
专利摘要：一种由AB1-XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf和Ta中至少一种以上构成。并且，其中x在0.05≤x＜1的范围内。该强电介质膜也可应用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器中的任一个当中。
专利权项：1、一种强电介质膜，由AB1-xNbxO3的通式表示，其中，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中的至少一种以上构成，x在0.05≤x＜1的范围内。
百度查询： 精工爱普生株式会社 强电介质膜、强电介质存储器
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