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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2014-12-12
公开（公告）日：2016-08-03
公开（公告）号：CN105830161A
专利技术分类：..应用磁自旋效应的存储元件的[2006.01]
专利摘要：一种与缩小设备技术兼容的磁阻性随机存取存储器MRAM集成，包括通过一个或多个逻辑元件在共用层间金属电介质IMD层中形成的磁性隧道结MTJ。该MTJ连接至底部IMD层中的底部金属线和顶部通孔，该顶部通孔连接至顶部IMD层。该MTJ基本上在被配置成分隔该共用IMD层和底部IMD层的一个或多个底部盖层与被配置成分隔该共用IMD层和顶部IMD层的一个或多个顶部盖层之间延伸。MTJ可包括顶部电极，用以连接至顶部通孔或通过用于较小设备技术的硬掩模直接连接至顶部通孔。逻辑元件包括通孔、金属线、和半导体器件。
专利权项：一种磁阻式随机存取存储器MRAM，包括：通过一个或多个逻辑元件在共用层间金属电介质IMD层中形成的磁性隧道结MTJ，其中所述MTJ连接至底部IMD层中的底部金属线和顶部通孔，所述顶部通孔连接至顶部IMD层，其中所述MTJ基本上在被配置成分隔所述共用IMD层和所述底部IMD层的一个或多个底部盖层与被配置成分隔所述共用IMD层和所述顶部IMD层的一个或多个顶部盖层之间延伸。
百度查询： 高通股份有限公司 用于技术缩放的MRAM集成技术
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