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申请/专利权人：飞思卡尔半导体公司

申请日：2008-01-24

公开（公告）日：2009-11-11

公开（公告）号：CN101578692A

专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]

专利摘要：一种用于形成半导体器件10的方法，其包括形成在该半导体器件的源极区中的凹槽26和漏极区中的凹槽28。该方法还包括形成源极区的凹槽26中的第一半导体材料层32以及漏极区的凹槽28中的第二半导体材料层34，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及具有第一浓度水平的掺杂材料形成第一半导体材料层32和第二半导体材料层38中的每一个，其中第一元素是硅。该方法还包括形成位于第一半导体材料层32上和第二半导体材料层34上的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有不同比率的附加半导体材料层36、38、40、42。

专利权项：1.一种形成半导体器件的方法，其包括：形成所述半导体器件的源极区中的凹槽和漏极区中的凹槽；形成所述源极区的凹槽中的第一半导体材料层和所述漏极区的凹槽中的第二半导体材料层，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及具有第一浓度水平的掺杂材料形成所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层中的每一个，其中所述第一元素是硅；形成位于所述第一半导体材料层上的第三半导体材料层以及位于所述第二半导体材料层上的第四半导体材料层，其中所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层中的每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第二比率，其中所述第二比率高于所述第一比率，并且其中所述第三半导体材料层和所述第四半导体材料层中的每一个具有第二浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第二浓度水平高于所述掺杂材料的第一浓度水平；以及形成位于所述第三半导体材料层上的第五半导体材料层以及位于所述第四半导体材料层上的第六半导体材料层，其中所述第五半导体材料层和所述第六半导体材料层中的每一个的第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第三比率，其中所述第三比率低于所述第二比率，并且其中所述第五半导体材料层和所述第六半导体材料层中的每一个具有第三浓度水平的所述掺杂材料，其中所述掺杂材料的第三浓度水平高于所述掺杂材料的第二浓度水平。

百度查询： 飞思卡尔半导体公司 多层源极/漏极应力源