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申请/专利权人：重庆科技学院
申请日：2010-09-29
公开（公告）日：2011-06-01
公开（公告）号：CN201853736U
专利技术分类：..具有特定形状[2010.01]
专利摘要：本实用新型公开了一种可控LED，包括硅基底层、第一电极和第二电极，其特征在于：所述硅基底层的上端面生成有衬底，该衬底的上端面设置所述第一电极和第二电极，所述衬底的上端面还设置有CVD生长纳米条，该CVD生长纳米条的一端连接所述第一电极，CVD生长纳米条的另一端连接所述第二电极，所述第一电极和第二电极上分别连接有LED管脚；所述第一电极和第二电极之间的衬底和CVD生长纳米条上还覆盖有氧化铝层；所述氧化铝层上生成有第一控制脚和第二控制脚。其显著效果是：能够生成纳米尺度的激光和单光子光源，可产生与目前光纤网络广泛使用的光波一致的光。
专利权项：一种可控LED，包括硅基底层（1）、第一电极（3a）和第二电极（3b），其特征在于：所述硅基底层（1）的上端面生成有衬底（2），该衬底（2）的上端面设置所述第一电极（3a）和第二电极（3b），所述衬底（2）的上端面还设置有CVD生长纳米条（4），该CVD生长纳米条（4）的一端连接所述第一电极（3a），CVD生长纳米条（4）的另一端连接所述第二电极（3b），所述第一电极（3a）和第二电极（3b）上分别连接有LED管脚（5）；所述第一电极（3a）和第二电极（3b）之间的衬底（2）和CVD生长纳米条（4）上还覆盖有氧化铝层（6）；所述氧化铝层（6）上生成有第一控制脚（7a）和第二控制脚（7b）。
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