龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日：2005-05-19
公开（公告）日：2008-09-10
公开（公告）号：CN100418200C
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种源极漏极离子掺杂方法，它利用先于半导体基底上形成栅栅极结构与栅栅极间隙壁，接着接着利用在一其上具有沟槽的介电层来定义出重离子掺杂位置，并利用在沟槽内形成呈现Y字型的多晶硅层，以该多晶硅层、栅栅极间隙壁与介电层为阻碍层，进行离子植入，而自然的形成源极漏极离子掺杂区域，以使在集成度增加下缩小的组件依然保有足够长度信道的栅栅极结构。
专利权项：1.一种源极漏极离子掺杂方法，其包括下列步骤：提供一半导体基底，其内形成有隔离区域；在该半导体基底上形成一栅极结构与一栅极间隙壁；在半导体基底上沉积一介电层，并对该介电层进行刻蚀，以形成数个沟槽，该沟槽显露出该栅极结构的源极漏极位置；在该沟槽内形成一呈现Y字型的多晶硅层；以该多晶硅层、该介电层与该栅极间隙壁为掩膜进行一离子掺杂工艺，在该栅极结构同时形成重掺杂源漏极掺杂区与浅掺杂源漏极掺杂区；以及移除该多晶硅层，以完成栅极组件。
百度查询： 上海宏力半导体制造有限公司 源极/漏极离子掺杂方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号