恭喜意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司P·波伊文获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括双极晶体管的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110349953B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910272414.2，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权包括双极晶体管的集成电路是由P·波伊文;J·J·法戈;E·佩蒂特普瑞兹;E·苏谢尔;O·韦伯设计研发完成，并于2019-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括双极晶体管的集成电路在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及包括双极晶体管的集成电路。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路和方法。在一个实施例中，集成电路包括双极晶体管行，该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极，共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触。导电层位于绝缘沟槽和共用基极上，位于第一导电区域之间。间隔件层位于导电层和第一导电区域之间。
本发明授权包括双极晶体管的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：双极晶体管行，沿第一方向排列，包括：多个第一导电区域；第二导电区域；共用基极，位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；绝缘沟槽，与所述双极晶体管行中的每个双极晶体管接触；导电层，位于所述绝缘沟槽上，并且位于所述共用基极上，位于所述第一导电区域之间，所述导电层具有梳状件，所述梳状件的第一部分沿第一方向在所述绝缘沟槽上延伸，多个第二部分沿与所述第一方向垂直的第二方向在相邻的所述第一导电区之间延伸；以及间隔件层，位于所述导电层和所述第一导电区域之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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