恭喜英飞凌科技股份有限公司F.J.桑托斯罗德里格斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110491778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910397969.X，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片是由F.J.桑托斯罗德里格斯;G.德尼夫尔;T.F.W.赫希鲍尔;M.胡贝尔;W.莱纳特;R.鲁普;H-J.舒尔策设计研发完成，并于2019-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片在说明书摘要公布了：提出了一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100）。该方法（100）包括在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）。该方法（100）进一步包括在宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层。沿着拆分区域拆分（130）宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括非单晶支撑层（320）的剩余晶片。
本发明授权用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片在权利要求书中公布了：1.一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法100，所述方法100包括：在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积多晶碳化硅层或钼层的非单晶支撑层320，宽带隙半导体晶片是碳化硅晶片；在所述宽带隙半导体晶片的前侧处沉积外延层；沿着拆分区域拆分所述宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片和包括所述非单晶支撑层320的剩余晶片；以及在所述剩余晶片的非单晶支撑层320上沉积另外的非单晶支撑层。
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