恭喜旺宏电子股份有限公司江昱维获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911126803.0，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权存储装置及其制造方法是由江昱维;胡志玮;邱家荣设计研发完成，并于2019-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储装置及其制造方法。存储装置包含漏极柱状结构、源极柱状结构、电荷捕捉结构、垂直通道结构和栅极结构。漏极柱状结构形成于第一开口中。源极柱状结构形成于第二开口中。垂直通道结构与电荷捕捉结构形成于孔洞中，孔洞部分重叠于第一开口和第二开口。垂直通道结构被漏极柱状结构和源极柱状结构分开为两弧形通道部件。栅极结构围绕漏极柱状结构、源极柱状结构和垂直通道结构。
本发明授权存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置的制造方法，包括：在一氧化物-氮化物叠层中形成一孔洞；在该孔洞的一内壁形成一垂直通道结构和一电荷捕捉结构；形成一第一开口和一第二开口，该第一开口和该第二开口部分重叠于该孔洞，且该第一开口和该第二开口贯穿该垂直通道结构，其中该垂直通道结构被该第一开口和该第二开口分开为两个弧形通道部件；分别在该第一开口和该第二开口中形成一漏极柱状结构和一源极柱状结构；以及形成一栅极结构，该栅极结构围绕该漏极柱状结构、该源极柱状结构和该垂直通道结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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