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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利显示驱动器和驱动该显示驱动器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111354305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911273179.7，技术领域涉及：G09G3/3208；该发明授权显示驱动器和驱动该显示驱动器的方法是由安普·P·若泽设计研发完成，并于2019-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示驱动器和驱动该显示驱动器的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及显示驱动器和驱动该显示驱动器的方法。该显示驱动器包括：包括第一多个晶体管的分段上拉电流源电路；包括第二多个晶体管的分段下拉电流源电路；比较器电路，该比较器电路被配置为将在显示驱动器的输出处的输出电压电平与目标电压电平进行比较，并且在比较器电路的两个输出端子中的一个输出端子处产生比较器输出，其中，分段上拉电流源电路和分段下拉电流源电路经由一个或多个多路复用器、第一多个与门电路和第二多个与门电路连接至比较器电路的两个输出端子；以及逻辑电路，该逻辑电路连接至比较器电路的至少一个输出端子，并且被配置为基于比较器输出而控制分段上拉电流源电路和分段下拉电流源电路的操作。

本发明授权显示驱动器和驱动该显示驱动器的方法在权利要求书中公布了：1.一种显示驱动器，包括：分段上拉电流源电路，所述分段上拉电流源电路被配置为将上拉电流供应至连接至所述显示驱动器的输出的负载，其中，所述分段上拉电流源电路包括：包括m组晶体管的第一多个晶体管，其中，所述第一多个晶体管的所述m组晶体管中的每一组晶体管包括彼此串联连接的p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和n型MOSFET；分段下拉电流源电路，所述分段下拉电流源电路被配置为将下拉电流供应至连接至所述显示驱动器的所述输出的所述负载，其中，所述分段下拉电流源电路包括：包括m组晶体管的第二多个晶体管，其中，所述第二多个晶体管的所述m组晶体管中的每一组晶体管包括彼此串联连接的两个n型MOSFET，其中，所述分段上拉电流源电路和所述分段下拉电流源电路经由第一多个与门电路和第二多个与门电路彼此连接；比较器电路，所述比较器电路被配置为将在所述显示驱动器的所述输出处的输出电压电平与目标电压电平进行比较，并且在所述比较器电路的两个输出端子中的一个输出端子处产生比较器输出，其中，所述分段上拉电流源电路和所述分段下拉电流源电路经由一个或多个多路复用器、所述第一多个与门电路和所述第二多个与门电路连接至所述比较器电路的所述两个输出端子；以及逻辑电路，所述逻辑电路连接至所述比较器电路的至少一个输出端子，并且被配置为基于所述比较器输出而控制所述分段上拉电流源电路和所述分段下拉电流源电路的操作，其中，m是正整数，并且其中，所述逻辑电路是包括n个单独的移位寄存器的n位移位寄存器，其中，n是正整数，并且其中，所述n个单独的移位寄存器中的每一个单独的移位寄存器被配置为基于所述比较器输出而控制所述第一多个晶体管的所述m组晶体管中的对应的一组晶体管。

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