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龙图腾网恭喜湖北长江万润半导体技术有限公司申请的专利一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119068969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411562190.6，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法是由赵周星;张杰;吴国骏;李四林设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法，包括以下步骤：1）通过闪存测试设备读取闪存指定Block的信息，所述信息包括：Block的总页数；2）在指定的Block内查找该Block的闪存弱页；3）根据查找的闪存弱页，评估闪存芯片的可靠性。本发明提出了基于快速查找闪存弱页的闪存测试流程及方法，该方法只需要对需要测试的闪存弱页状况进行读取即可通过闪存弱页的错误比特翻转数精准高效评估整个闪存的品质，在量产测试中可大幅减少闪存测试时间，提高闪存筛选的量产测试效率。

本发明授权一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于闪存弱页的闪存芯片快速测试方法，其特征在于，包括以下步骤：1）获取闪存指定Block的信息，所述信息包括：Block的总页数；2）在指定的Block内查找该Block的闪存弱页；所述闪存弱页为给定的闪存芯片中，某个Block块内某页上每KB原始数据错误比特翻转数RBER大于或等于同一个Block块内其他页错误比特翻转数RBER的平均值的2倍或以上的页；所述步骤2）中，查找该Block的闪存弱页，采用以下步骤：2.1）在指定的Block内在页首、页中及页尾三个位置对应的区域进行读取，在没有擦写条件下，记录页首、页中、页尾每个区域对应的Page页的错误比特翻转数目；其中，页首、页中及页尾三个位置选取对应的区域为：选取页首位置选取对应的区域为：总页数0至20%区域、选取页中位置选取对应的区域为：总页数30%-60%区域，选取页尾位置选取对应的区域为：总页数80%-100%区域；2.2）选取各区域中，错误比特翻转数的最大值对应位置的Page页作为闪存弱页的查找结果；3）根据查找的闪存弱页，评估闪存芯片的可靠性。

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