恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张柏钧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222356856U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421063341.9，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型半导体结构是由张柏钧;陈威霖;周俊豪;林昆辉;李国政设计研发完成，并于2024-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包含在基材中的光电二极管、在光电二极管上的高吸收结构、至少部分地包围高吸收结构的多个纳米级结构的阵列。纳米级结构的阵列大致以固定的间隔分开。在像素阵列的光电二极管上的纳米级结构的阵列改善短波长光线的量子效率，例如绿光及蓝光。纳米级结构可在没有高吸收结构下使用例如：当像素阵列仅是配置给可见光时，或可至少部分地围绕高吸收结构例如：当像素阵列是同时配置给可见光及近红外光时。除此之外，纳米级结构的阵列可利用光微影来形成，以使纳米级结构大致上以固定间隔分开。因此，相较于若纳米级结构阵列是利用随机或类似随机工艺例如定向自组装所形成者，像素阵列的量子效率可较佳地被改善。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一光电二极管，在一基材中；一高吸收结构，在该光电二极管上，其中该高吸收结构配置以朝该光电二极管反射红外光；以及多个纳米级结构的一阵列，至少部分地包围该高吸收结构，其中所述多个纳米级结构的该阵列配置以朝该光电二极管反射可见光，且所述多个纳米级结构的该阵列以固定的间隔分开。
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