买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011371843.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈伟铭;丁国强;侯上勇设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体结构的方法包括将第一管芯和第二管芯分别接合至第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧，其中第一中介层横向邻近第二中介层；用第一模制材料密封第一中介层和第二中介层；在与第一中介层的第一侧相对的第一中介层的第二侧中形成第一凹槽；在与第二中介层的第一侧相对的第二中介层的第二侧中形成第二凹槽；以及用第一介电材料填充第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及半导体结构。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：分别将第一管芯和第二管芯接合至第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧，其中，所述第一中介层横向邻近所述第二中介层；用第一模制材料密封所述第一中介层和所述第二中介层；在与所述第一中介层的所述第一侧相对的所述第一中介层的第二侧中形成第一凹槽，其中，所述第一凹槽的底部位于所述第一中介层的所述第一侧和所述第一中介层的所述第二侧之间，所述第一凹槽的所述底部暴露所述第一中介层的第一衬底的第一表面；在与所述第二中介层的所述第一侧相对的所述第二中介层的第二侧中形成第二凹槽；以及用第一介电材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽，其中，所述第一介电材料接触所述第一衬底的所述第一表面并且沿着所述第一衬底的所述第一表面延伸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。