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龙图腾网恭喜三星显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011154837.3，技术领域涉及：H10K59/123；该发明授权显示装置是由赵允锺;成硕济;李圣俊设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及显示装置，根据一实施例的显示装置包括：基板；多晶半导体，包括位于基板上的驱动晶体管的沟道、第一电极以及第二电极；驱动晶体管的栅极电极，位于驱动晶体管的沟道上；第一维持电极，位于驱动晶体管的栅极电极上；第三晶体管的光阻挡层以及第七晶体管的光阻挡层，位于基板上；氧化物半导体，包括第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极以及第七晶体管的沟道、第一电极以及第二电极，其中，第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于第三晶体管的光阻挡层上，第七晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于第七晶体管的光阻挡层上；第三晶体管的栅极电极，位于第三晶体管的沟道上；以及第七晶体管的栅极电极，位于第七晶体管的沟道上。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括：基板；多晶半导体，包括位于所述基板上的驱动晶体管的沟道、第一电极以及第二电极；驱动晶体管的栅极电极，位于所述驱动晶体管的沟道上；第一维持电极，位于所述驱动晶体管的栅极电极上；第三晶体管的光阻挡层以及第七晶体管的光阻挡层，位于所述基板上；氧化物半导体，包括第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极以及第七晶体管的沟道、第一电极以及第二电极，其中，所述第三晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于所述第三晶体管的光阻挡层上，所述第七晶体管的沟道、第一电极、第二电极位于所述第七晶体管的光阻挡层上；第三晶体管的栅极电极，位于所述第三晶体管的沟道上；以及第七晶体管的栅极电极，位于所述第七晶体管的沟道上，其中，所述第三晶体管的光阻挡层与所述第一维持电极位于同一层，所述第七晶体管的光阻挡层与所述驱动晶体管的栅极电极位于同一层。

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