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龙图腾网恭喜群创光电股份有限公司申请的专利发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911099698.6，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置是由石建中;谢朝桦设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置在说明书摘要公布了：本揭露提供一种发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置，发光元件的制作方法包括以下步骤。提供发光二极管。施加能量束来处理发光二极管的表面，其中能量束的功率密度大于0毫焦耳平方厘米且小于或等于2000毫焦耳平方厘米。本揭露实施例的发光元件的制作方法所制作出的发光元件，可提高光萃取效率，可具有较佳的出光效果，并可电性连接驱动电路以构成电子装置。

本发明授权发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置在权利要求书中公布了：1.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：提供已形成有发光二极管的第一基板；施加第一能量束于所述第一基板上，以分离所述发光二极管与所述第一基板，并暴露出所述发光二极管的缓冲层；以及施加第二能量束于所述缓冲层上，以形成表面粗糙层于所述发光二极管上，其中所述第二能量束的功率密度大于0毫焦耳平方厘米且小于或等于2000毫焦耳平方厘米，所述表面粗糙层包括多个凸起微结构，且所述多个凸起微结构彼此分离，以剖面观之，所述多个凸起微结构的形状为梯形、矩形或三角形中的任意一种；其中，所述多个凸起微结构的高度在10纳米至100纳米的范围内，所述多个凸起微结构的宽度在10纳米至1000纳米的范围内，且两个相邻所述多个凸起微结构之间的间距在10纳米至1000纳米的范围内。

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