恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910687103.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其形成方法是由张田田;张浩;蒋莉;郭雯设计研发完成，并于2019-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供基底，所述基底上具有层间介质层；在所述层间介质层上形成刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层至露出所述层间介质层表面，形成开口；在所述开口内填充满高电阻层。本发明使得形成的半导体器件的性能和稳定性得到提高；同时保证形成的高电阻层具有较高的质量。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有层间介质层，在所述层间介质层内形成金属插塞；在所述层间介质层上形成刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层至露出所述层间介质层的表面，形成开口；在所述开口内填充满高电阻层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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