买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利SRAM电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910722100.8，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权SRAM电路是由张欢设计研发完成，并于2019-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM电路在说明书摘要公布了：一种SRAM电路，所述SRAM电路包括：读单元以及写单元，其中：所述读单元，与所述写单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于读数据；所述写单元，与所述读单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于写数据；其中，所述读单元的至少一个负电容晶体管和所述写单元的至少一个负电容晶体管在SRAM电路中不对称设置。采用上述方案，可以提高SRAM的读写能力。

本发明授权SRAM电路在权利要求书中公布了：1.一种SRAM电路，其特征在于，包括：读单元以及写单元，其中：所述读单元，与所述写单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于读数据；所述写单元，与所述读单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于写数据；其中，所述读单元的至少一个负电容晶体管和所述写单元的至少一个负电容晶体管在SRAM电路中不对称设置；所述读单元包括第一负电容晶体管以及第一NMOS管；所述写单元包括第二负电容晶体管以及第一PMOS管；所述SRAM电路还包括：第二PMOS管以及第二NMOS管；所述第一NMOS管，源极接第一位线，栅极接字线，漏极接所述第二PMOS管的漏极；所述第一负电容晶体管，栅极接所述第二PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极及所述第二NMOS管的源极，漏极接地；所述第二负电容晶体管的栅极接字线，漏极接第二位线；所述第一PMOS管，源极接电源电压，栅极接第二NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极及第一负电容晶体管的源极；所述第二NMOS管，漏极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。