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龙图腾网恭喜上饶晶科能源叁号智造有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利氧化处理方法与太阳能电池片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118016520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410414593.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权氧化处理方法与太阳能电池片是由林全键;张宁;费志良;李超设计研发完成，并于2024-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化处理方法与太阳能电池片在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种氧化处理方法与太阳能电池片，氧化处理方法包括如下步骤：将待氧化硅片放置于氧化炉内，待氧化硅片包含基底层以及设置于基底层表面的发射极区域；在氧化炉的升温阶段采用经过纯水水浴的氧气对发射极区域的表面进行一次氧化处理；在氧化炉的恒温阶段采用经过纯水水浴的氧气对发射极区域的表面进行二次氧化处理；在氧化炉的降温阶段采用干燥氧气对发射极区域的表面进行三次氧化处理，发射极区域的表面形成氧化层。本申请提供的氧化处理方法，在保证硅片寿命的同时，减少氧化炉与隔膜泵的清理次数，提高氧化效率。

本发明授权氧化处理方法与太阳能电池片在权利要求书中公布了：1.一种氧化处理方法，其特征在于，所述氧化处理方法包括如下步骤：将待氧化硅片放置于氧化炉内，所述待氧化硅片包含基底层以及设置于所述基底层表面的发射极区域；在所述氧化炉的升温阶段采用经过纯水水浴的氧气对所述发射极区域的表面进行一次氧化处理，其中，纯水在氧气流经时蒸发，以使氧气携带水蒸气一同输送至所述发射极区域，纯水水浴的温度为30℃~70℃，所述一次氧化处理的时间为3min~10min；在所述氧化炉的恒温阶段采用经过纯水水浴的氧气对所述发射极区域的表面进行二次氧化处理，所述二次氧化处理的时间为10min~60min；所述水蒸气清洁所述氧化炉的炉管以及隔膜泵；在所述氧化炉的降温阶段采用干燥氧气对所述发射极区域的表面进行三次氧化处理，所述发射极区域的表面形成氧化层，所述三次氧化处理的时间为20min~40min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上饶晶科能源叁号智造有限公司;浙江晶科能源有限公司，其通讯地址为：333100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。