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龙图腾网恭喜ASML荷兰有限公司申请的专利量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113376975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110694822.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品是由理查德·金塔尼利亚;A·J·登鲍埃夫设计研发完成，并于2016-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于测量通过光刻过程在衬底上制造的多个结构的属性的混合量测设备、测量通过光刻过程制造的多个结构的属性的方法、器件制造方法和计算机程序产品。该混合量测设备包括：第一照射系统，用于利用第一辐射照射第一结构；第一检测系统，用于检测包括由第一结构反射的第一辐射的至少部分的第一光谱；第二照射系统，用于利用第二辐射照射第二结构；第二检测系统，用于检测包括由第二结构反射的第二辐射的至少部分的第二光谱；处理系统，用于使用所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱来确定光刻过程的所关注参数，第二检测系统和第一检测系统在同一波段内以不同方式操作或在不同波段中操作。

本发明授权量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品在权利要求书中公布了：1.一种用于测量通过光刻过程在衬底上制造的多个结构的属性的混合量测设备，所述混合量测设备包括：（a）第一照射系统，用于利用第一辐射照射第一结构，所述第一辐射包括在1纳米至100纳米的范围内的一个或更多个波长；（b）第一检测系统，用于检测包括由所述第一结构反射的所述第一辐射的至少部分的第一光谱；（c）第二照射系统，用于利用第二辐射照射第二结构，其中所述第一结构和第二结构位于所述衬底的不同部分上，所述第二辐射包括在1纳米至100纳米的范围内或在100纳米至1000纳米的范围内的一个或更多个波长；（d）第二检测系统，用于检测包括由所述第二结构反射的所述第二辐射的至少部分的第二光谱；（e）处理系统，用于使用所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱来确定所述衬底上的结构的一个或更多个属性，其中所述第二检测系统和所述第一检测系统在同一波段内以不同方式操作或在不同波段中操作。

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