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龙图腾网恭喜北京数字光芯科技有限公司申请的专利一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109994049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-12-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711499329.7，技术领域涉及：G09F9/33；该发明授权一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置是由孙雷设计研发完成，并于2017-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的MicroLD的装置，通过计算机控制MOS集成电路，MOS集成电路能分别控制微小的半导体激光二极管阵列中的每一个半导体激光二极管开关和强弱，最终形成图像。MicroLD与MicroLED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。

本发明授权一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的MicroLD的装置，其包括：部件衬底、部件MOS集成电路、部件半导体激光二极管阵列、部件外部控制系统；通过部件外部控制系统可独立寻址控制部件MOS集成电路上的部件电极阵列的每一个电极供电状态，进而通过控制部件电极阵列中的每一个电极的供电独立控制每一个部件半导体激光二极管发光与熄灭，通过可控的每个部件半导体激光二极管发光与熄灭最终组成所需的激光图案；部件MOS集成电路表面含有C个部件引脚,其中C≥1，与部件外部控制系统连接，含有部件电极阵列与部件半导体激光二极管阵列相连并为部件半导体激光二极管阵列供电；部件MOS集成电路含有多层电路结构，部件MOS集成电路表面含有部件电极阵列，部件电极阵列中的每个电极都可独立寻址并独立控制电流开关，每个电极均有其对应的独立驱动电路，驱动电流由薄膜晶体管提供；部件半导体激光二极管阵列共有A行B列个部件半导体激光二极管，其中A为大于1的整数，B为大于1的整数,部件半导体激光二极管呈矩形排布，其A行排列轴线与B列排列轴线呈90度夹角，部件半导体激光二极管的激光发射方向垂直于部件衬底平面，激光波长范围大于等于350纳米小于等于890纳米，部件半导体激光二极管边长大于等于500纳米，小于等于500微米。

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