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龙图腾网恭喜西安晟光硅研半导体科技有限公司申请的专利一种基于微射流激光技术的金刚石切片装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221435347U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421446577.0，技术领域涉及：B23K26/38；该实用新型一种基于微射流激光技术的金刚石切片装置是由杨森;张国超;张聪;张贵龙;薛健飞设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于微射流激光技术的金刚石切片装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种基于微射流激光技术的金刚石切片装置，包括：吸附台、滑台、底板、粘接杆和盖板；其中，吸附台和滑台相邻间隔安装在底板上；吸附台内设置有真空室，真空室的第一端的端面作为吸附面，位于吸附台靠近滑台的侧壁上，真空室的第二端与真空泵连接；吸附面上设有多个吸附孔；粘接杆贯穿滑台，粘接杆的第一端靠近吸附台且与吸附面的位置相对应；粘接杆与滑台活动连接，以调节粘接杆与吸附面之间的距离；盖板设置在滑台的顶部，以将粘接杆固定在滑台内。本实用新型能够解决传统切割装置切割时，由于与金刚石晶体的籽晶面接触的接触面厚度不一致导致被切割晶体与射流不平行的问题。

本实用新型一种基于微射流激光技术的金刚石切片装置在权利要求书中公布了：1.一种基于微射流激光技术的金刚石切片装置，其特征在于，包括：吸附台（1）、滑台（2）、底板（3）、粘接杆（4）和盖板（5）；其中，所述吸附台（1）和所述滑台（2）相邻间隔安装在所述底板（3）上；所述吸附台（1）内设置有真空室（13），所述真空室（13）的第一端的端面作为吸附面（11），位于所述吸附台（1）靠近所述滑台（2）的侧壁上，所述真空室（13）的第二端与真空泵连接；所述吸附面（11）上设有多个吸附孔；所述粘接杆（4）贯穿所述滑台（2），所述粘接杆（4）的第一端靠近所述吸附台（1）且与所述吸附面（11）的位置相对应；所述粘接杆（4）与所述滑台（2）活动连接，以调节所述粘接杆（4）与所述吸附面（11）之间的距离；所述盖板（5）设置在所述滑台（2）的顶部，以将所述粘接杆（4）固定在所述滑台（2）内。

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